[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底顶部形成有介电层，介电层中形成开口，开口贯穿介电层，并延伸至部分厚度的衬底中；在开口中形成光电层；去除光电层侧部的部分厚度的介电层，在介电层中形成环绕光电层的沟槽，且沟槽露出光电层；形成覆盖介电层和光电层的覆盖层，覆盖层还填充于沟槽内。所述沟槽的形成，使得光电层四周的填充角度变大，相应提高了所述覆盖层在介电层和光电层之间的填充效果，从而降低所述覆盖层中产生空洞缺陷的概率，进而有利于提高半导体器件的性能(例如，可靠性性能)。