[发明专利]新型的低噪声低损耗IGBT在审
| 申请号： | 202110959749.9 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113644124A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 邱雨;赵燕霞;杨权山 | 申请（专利权）人： | 深圳市伟安特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种新型的低噪声低损耗IGBT，包括N型漂移层，所述的N型漂移层底部依次设置N型缓冲层、P型注入层和集电氧层，所述的集电氧层用于引出集电极，所述的N型漂移层内两侧均开设P体层，每一个P体层内两侧均开设N型发射层，每一个P体层内的两个N型发射层顶部均连接发射极金属层，所述的发射极金属层向外引出发射极，每一个P体层边侧顶部均连接栅氧层且所述的栅氧层同时连接N型发射层和P体层的边侧；所述的栅氧层上设置多晶硅栅层，所述的多晶硅栅层向外引出栅极，两个靠近的P体层中间设置去噪N型层，且所述的去噪N型层最底部低于N型发射层的最底部，且所述的去噪N型层一端插入到P体层内另外一端位于N型漂移层内。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 噪声 损耗 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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