[发明专利]具有集成的肖特基二极管的功率晶体管在审
| 申请号： | 202110960045.3 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114078973A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | M·黑尔;R·埃尔佩尔特;C·莱恩德茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有集成的肖特基二极管的功率晶体管。根据半导体器件的实施例，器件包括：形成在半导体衬底中的多个器件单元，每个器件单元包括晶体管结构和肖特基二极管结构；以及超结结构，包括形成在半导体衬底中的第一导电类型和第二导电类型的交替区。对于每个晶体管结构，晶体管结构的沟道区和肖特基二极管结构中的相邻一个的肖特基金属区通过第一导电类型的半导体材料互连，而不被超结结构的第二导电类型的区中的任何区中断，第一导电类型的半导体材料包括超结结构的第一导电类型的区中的一个或多个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 肖特基 二极管 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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