[发明专利]一种浪涌防护芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了浪涌防护芯片，包括衬底、形成在衬底上的第一外延层、第一外延层上的第一注入区、第一注入区上的第二注入区、第二注入区上的第二外延层、自第二外延层延伸至第一外延层内的第一沟槽，第一沟槽填充氧化硅，位于第一沟槽之间与第一沟槽侧壁连接的第二沟槽、第二沟槽内填充第三外延层，形成在第二沟槽内的第三注入区、第二外延层内的第四注入区，形成在第二外延层、第一沟槽、第二沟槽上的介质层，在介质层上并对应设置在第三注入区上的第一接触孔、第四注入区上的第二接触孔、介质层上并填充第一接触孔、第二接触孔的第一金属层，及形成在衬底下的第二金属层。本发明还提供浪涌防护芯片制备方法，降低寄生电容和高频电路信号衰减。