[发明专利]一种可实现多操作数内存计算的铁电存储器阵列在审

专利信息
申请号: 202110960899.1 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN113658623A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 唐明华;刘睿;陈晓玲;李刚;燕少安;肖永光;李正 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 代理人: 陈伟
地址: 411105 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种可实现多操作数内存计算的铁电存储器阵列,包括感测及多值计算单元、感测线驱动器、地址解码器,感测及多值计算单元与存储器阵列相连,存储器阵列与转发行单元相连;地址解码器与存储器阵列相连;感测及多值计算单元与输出缓冲器的输入端相连,输出缓冲器的输出端与第一数据选择器的第一输入端、第二数据选择器的第一输入端、输入缓冲器的输入端相连,第一数据选择器的输出端与转发行单元相连,输入缓冲器的输出端与第二数据选择器的第二输入端相连,第二数据选择器的输出端经感测线驱动器后连接存储器阵列。本发明适用于所有基于电阻式的单元设计,该架构对于具有N个操作数的CiM操作,只需要N/2个时钟周期。
搜索关键词: 一种 实现 作数 内存 计算 存储器 阵列
【主权项】:
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