[发明专利]基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110962162.3 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN113675291B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 陈柯辛;顾鹏;杨志强;李春梅;王金勇;蒋向东;李伟 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/108 分类号: H01L31/108;H01L31/20;G06N3/067
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法,从上至下具有透明顶电极、硅基非晶薄膜功能层、非晶硅钌薄膜功能层、透明底电极的垂直三明治结构;非晶硅钌薄膜功能层为光敏层,用于吸收可见光到近红外光范围内的光子;硅基非晶薄膜功能层与非晶硅钌薄膜功能层构成肖特基势垒;器件以不同波长的光信号模拟视觉突触前端的动作电位,以器件的光响应电流模拟突触后电流,通过电读取的方式,在可见光到近红外光谱范围内实现多项视觉神经突触可塑性,进而实现学习、记忆和颜色识别的仿生视觉突触功能。本发明所述光电突触器件具有较宽的工作带宽,有望在神经形态芯片以及未来智能机器人视觉系统中获得应用。
搜索关键词: 基于 肖特基 接触 双层 光电 突触 器件 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110962162.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top