[发明专利]基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法有效
申请号: | 202110962162.3 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113675291B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 陈柯辛;顾鹏;杨志强;李春梅;王金勇;蒋向东;李伟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/20;G06N3/067 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法,从上至下具有透明顶电极、硅基非晶薄膜功能层、非晶硅钌薄膜功能层、透明底电极的垂直三明治结构;非晶硅钌薄膜功能层为光敏层,用于吸收可见光到近红外光范围内的光子;硅基非晶薄膜功能层与非晶硅钌薄膜功能层构成肖特基势垒;器件以不同波长的光信号模拟视觉突触前端的动作电位,以器件的光响应电流模拟突触后电流,通过电读取的方式,在可见光到近红外光谱范围内实现多项视觉神经突触可塑性,进而实现学习、记忆和颜色识别的仿生视觉突触功能。本发明所述光电突触器件具有较宽的工作带宽,有望在神经形态芯片以及未来智能机器人视觉系统中获得应用。 | ||
搜索关键词: | 基于 肖特基 接触 双层 光电 突触 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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