[发明专利]一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法在审
申请号: | 202110962213.2 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113707711A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 郑婷婷;李宇柱;王鑫;董长城;骆健 | 申请(专利权)人: | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 韩红莉 |
地址: | 211100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法,包括衬底层(1)、主结环(2)和融合电阻环(4),主结环(2)和融合电阻环(4)均内嵌在衬底层(1)表层中,融合电阻环(4)与主结环(2)相邻,主结环(2)和融合电阻环(4)呈跑道状从内向外依次排列;退火推结工艺前主结环(2)和融合电阻环(4)之间有一定距离不接触,退火推结工艺后主结环(2)和融合电阻环(4)向四周扩散并相互接触。结构在主结环和场限环之间设置了一个融合电阻环,融合电阻环将在推结后与主结环融合在一起,增加主结边缘处的电阻以降低电场集中。 | ||
搜索关键词: | 一种 包含 融合 电阻 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南瑞联研半导体有限责任公司,未经南瑞联研半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110962213.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类