[发明专利]一种SiC MOSFET器件结构在审
| 申请号： | 202110964351.4 | 申请日： | 2021-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN113707626A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人： | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人： | 刘英 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市湖里区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种SiCMOSFET器件结构，包括封装壳体、引脚、凹槽、镀银层、散热块、散热鳍、耳板、导热膜、硅胶片、导热柱和镂空槽。本发明结构巧妙，装置的引脚上开有凹槽，引脚上开有镂空槽，且镂空槽位于凹槽内，用镊子夹持住引脚远离封装壳体靠近凹槽处，然后弯折引脚，在凹槽和镂空槽的作用下，大大降低了引脚折弯处的结构强度，此时可轻松的将引脚由凹槽处折弯，不仅方便了引脚的折弯，同时限定了装置的折弯位置，避免了装置因引脚的硬度高，引脚折弯困难，以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生，有利于装置的安装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
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