[发明专利]降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法在审
| 申请号： | 202110964535.0 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113410311A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然;王晓荣 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 213002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区；至少一圈隔离槽挖穿轻掺杂第一导电类型外延层，将转向二极管器件区隔离出来，隔离槽内填充有绝缘材料；在第二导电类型重掺杂区表面沉积有介质层，并在介质层中形成有接触孔；在第二导电类型重掺杂区内设有第二导电类型的表面注入区；在介质层上生长有金属层，所述金属层填充接触孔并与第二导电类型的表面注入区接触。本发明还提供了降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管的制造方法，有效降低了转向二极管的正向导通电压和导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 向导 通电 转向 二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏应能微电子有限公司，未经江苏应能微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110964535.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
