[发明专利]一种磁悬浮式衬底传送腔及传送方法在审
| 申请号： | 202110964942.1 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113707585A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 上海引万光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200331 上海市普陀*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工传输技术领域，提出一种磁悬浮式衬底传送腔及传送方法。该传送腔可以在外接半导体设备与功能腔室之间传送衬底，包括：进片互锁腔体，其连接传送腔体以及所述外接半导体设备；以及传送腔体，其包括：隔离阀，其布置于所述传送腔体侧壁上，其中所述隔离阀连接所述功能腔室；磁悬浮致动器定子，其布置于所述传送腔体底部，其中所述磁悬浮致动器定子被配置为通过磁悬浮方式控制磁悬浮致动器动子运动磁悬浮致动器动子，其布置于所述传送腔体内部，所述磁悬浮致动器动子连接一个或者多个端末作用器；以及端末作用器，其被配置为运送衬底以及在所述进片互锁腔体和所述功能腔室中取出\放入衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁悬浮 衬底 传送 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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