[发明专利]带ESD的功率器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110965206.8 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113421829B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 许剑;吴春达;蒋小强;霍晓强 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司;无锡麟聚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带ESD的功率器件结构及其制备方法。器件包括N型衬底、N型外延层，第一沟槽、第二沟槽、P型体区、P型有源区、N型有源区、介质层及金属电极，第一沟槽和第二沟槽在N型外延层内间隔分布，第一沟槽内包括栅氧化层和多晶硅ESD，且多晶硅ESD内形成有P型掺杂区；第二沟槽内包括栅氧化层和多晶硅栅极；P型体区位于各沟槽之间的N型外延层内；介质层覆盖第一沟槽、第二沟槽及P型体区；孔引出区位于介质层内，且与多晶硅ESD的P型掺杂区、P型有源区，第一沟槽及第二沟槽之间的P型体区内的N型有源区电接触；金属电极位于介质层上。本发明可以有效减小ESD结构的面积，有利于工艺平坦化和降低器件制备成本，有助于改善ESD漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | esd 功率 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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