[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110965705.7 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN114203818A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 西口俊史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、栅极电极及第二电极。第三半导体区域设置于第二半导体区域的一部分的上方。第四半导体区域设置于第二半导体区域的另一部分的上方，位于比第三半导体区域靠下方的位置，具有比第二半导体区域高的第二导电型的杂质浓度。第二电极包含：第一部分及第二部分，在第二方向上相互分离，且第四半导体区域位于第一部分与第二部分之间；以及第三部分，设置于第一部分的上方及第二部分的上方，且在第二方向上与第三半导体区域并排。第四半导体区域与第一部分、第二部分及第三部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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