[发明专利]超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110967283.7 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN113618075A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 孙珲 申请(专利权)人: 孙珲
主分类号: B22F9/22 分类号: B22F9/22;B22F1/00;B82Y40/00;B82Y30/00;C09D11/52;C09D5/24
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 张群;亓雨生
地址: 315000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种超低电阻率导电浆料的填充高纯纳米材料的制备方法,本发明利用化学法制备以纳米铜为主的纳米材料,在制备过程中加入了硝酸银,硝酸银生成的草酸银在高温状态下还原为单质Ag,单质Ag一方面与纳米铜一样具有很好的导电性,另一当面,单质Ag具有非常强的氧化性,其作为氧化剂,在焙烧炉中可显著增强CO、CO2的气爆作用,从而将伴随单质Ag产生的单质铜切割为颗粒更细、更均匀的纳米铜,有效避免氧化物生成、提高纳米材料的纯度、降低电阻率。本发明制备的纳米材料的电阻率由现有常见材料的12.6mΩ.cm降低到26.9μΩ·cm,接近铜的理论电阻率1.75μΩ·cm,效果显著。
搜索关键词: 电阻率 导电 浆料 填充 高纯 纳米 材料 制备 方法
【主权项】:
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