[发明专利]一种分离栅VDMOS器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110968192.5 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113594257A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 乔明;钟涛;张泽奇;方冬;刘文良;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分离栅VDMOS器件及其制造方法，具有沟槽介质层、3‑D设计的P+区和倒U型控制栅，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体外延层、第二导电类型阱区、第二导电类型重掺杂区、第一导电类型重掺杂区、第一分离栅槽、4个氧化层、SiN层、栅电极、分离栅电极、源极金属电极。本发明具有3‑D设计的P+区和倒U型控制栅，P+区域采用3‑D设计，不需要在两沟槽之间刻蚀源极接触孔，有利于减小器件元胞尺寸，在相同器件面积内增大沟道面积，提高电流能力，优化优值；沟槽侧壁为引入SiN的复合介质层；采用倒U型控制栅，可减小控制栅与分离栅的交叠，进一步减小器件的寄生栅源电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 vdmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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