[发明专利]基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110968495.7 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113745332A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周大雨;隋金洋;孙纳纳;习娟 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管，其自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；势垒层包括非铁电性势垒层、铁电性Ⅲ族氮化物势垒层，铁电性Ⅲ族氮化物势垒层在非铁电性势垒层和钝化层之间。缓冲层和势垒层形成禁带宽度不同的异质结，缓冲层禁带宽度小于势垒层禁带宽度；缓冲层上表面的两端设有源电极和漏电极；铁电性Ⅲ族氮化物势垒层上设有栅电极，栅电极嵌套在钝化层中。本发明缓冲层和势垒层均采用Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，二者制备工艺兼容，各层薄膜生长质量高、薄膜间界面特性好；同时Ⅲ族氮化物铁电材料的电滞回线矩形度高、剩余极化强度大，器件关闭和导通状态的保持时间长，服役可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铁电性 氮化物 极化 反转 增强 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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