[发明专利]高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110968668.5 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838931A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李瑶;王江波;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体光电技术领域。p‑GaN盖帽层包括依次层叠在AlGaN层上的第一子层部分与第二子层部分。覆盖AlGaN层远离衬底的表面的第一子层部分的厚度为0.5～5nm。该层不会对下层AlGaN层与GaN沟道层界面处的二维电子气造成影响；第二子层部分叠加在第一子层部分的位置厚度较大，与下层AlGaN层形成PN节，耗尽下层AlGaN层与GaN沟道层异质结处的二维电子气，增强器件可靠性。得到的高电子迁移率晶体管的质量较好，不需要额外在HEMT的栅极施加负压关断HEMT，可以得到较为稳定且便于使用的HEMT。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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