[发明专利]一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110968713.7 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113707749A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 申志辉;赵文伯;崔大健;陈扬;刘海军;张承;敖天宏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于宽禁带半导体、光电子器件领域，具体涉及一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法；所述外延结构从上至下包括非故意掺杂AlGaN吸收层、N型AlGaN组分渐变层、N型AlGaN超晶格层、非故意掺杂AlN模板层以及AlN单晶衬底。本发明的外延结构能够在一定程度上解决蓝宝石衬底晶格失配与热失配高、外延材料缺陷密度高和热导率差等问题，提高APD焦平面阵列的灵敏度、响应均匀性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 平面 探测器 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
