[发明专利]半导体结构钝化方法及设备在审
| 申请号： | 202110971608.9 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113422290A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 惠利省;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01L21/56;C23C16/02;C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨萌 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构钝化方法及设备，涉及半导体解理的技术领域，所述半导体结构钝化方法包括步骤：将半导体结构置入到腔室内；利用氩等离子体轰击半导体结构的腔面；利用氢等离子体轰击半导体结构的腔面；向腔室内通入氮等离子体，以使氮等离子体能够在半导体结构腔面上形成氮化物层；在氮等离子体的环境下，向腔室输入铝源，用于在氮化物层的腔面形成氮化铝过渡层；在氮等离子体的环境下，向腔室输入镓源和砷源进行原子沉积，用于在氮化铝过渡层的表面形成铝镓砷钝化层。清除掉半导体结构腔面吸附的残渣颗粒和氧化物并进行表面钝化，可以极大降低腔面复合中心的存在，从而提高半导体结构的输出性能与寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 钝化 方法 设备 | ||
【主权项】：
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