[发明专利]扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管装置在审
| 申请号： | 202110973600.6 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN114256074A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | V·米什拉;S·M·塞亚;C·E·韦伯;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/775;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施例基于扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管架构，这意味着将具有至少栅极电介质材料或栅极电介质材料和栅电极材料两者的栅极壳体提供在纳米梳晶体管装置的横向纳米带的垂直叠层的每个纳米带的所有侧面上。特别地，本文所提出的扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管架构包括使用相对于彼此具有蚀刻选择性的两种电介质壁材料，而不是仅使用用于实现常规纳米梳晶体管装置的单种电介质壁材料。如本文所述的实现全环栅的基于纳米梳的晶体管装置可以在常规纳米梳晶体管装置的短沟道效应方面提供改进。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 实现 全环栅 纳米 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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