[发明专利]一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备及方法在审
| 申请号： | 202110974261.3 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113502531A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈建明;胡君梅 | 申请（专利权）人： | 胡君梅 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 胡妍 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长设备领域，本发明提供一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备及方法，该生长设备包括在坩埚中间用外隔板围成生长区，并在生长区内部用内隔板分割成若干个生长隔区，在每个生长隔区的底部可选择固定有籽晶，籽晶上方覆盖有多晶硅原料，每个生长隔区为一个独立的晶体生长区间，所有晶体同步生长。该生长设备中的外隔板用来阻挡从坩埚内壁析出的多晶向坩埚中心延伸，内隔板的设置避免了相邻晶体之间因为相互交叉生长而产生的晶界，大幅提高了硅晶体的单晶比例，晶体的生长区和保温层之间设有多个独立功率控制的加热器件，共同调节坩埚周围的温度梯度，控制晶体生长界面和生长速度，确保晶体生长顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多隔区 垂直 温度梯度 可调 铸锭 单晶硅 生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
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