[发明专利]一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM在审
| 申请号： | 202110977920.9 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115910138A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 孙慷;吴爱龙;何世坤;徐晓波 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM，该检测处理方法包括：采用电压值为V1的写电压，向MRAM的待测存储区写入第一数据；该待测存储区在应用时的正常写电压值为V2，且V1＜V2；读取待测存储区中所存储的数据，获得第二数据；比较第一数据和第二数据，检测出待测存储区中写失效的存储元。使得在进行写失效的检测过程中，WER与写电流的关系曲线存在较长拖尾的异常存储元的失效概率提升程度，远大于WER与写电流的关系曲线存在较短拖尾的正常存储元的失效概率提升程度，从而能够检测出更多写失效的异常存储元，提升整体的失效存储元的检测覆盖率。检测处理方法能够通过简单的算法电路即可实现检测，更加高效的运用到筛片工序中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 失效 检测 处理 方法 电路 | ||
【主权项】：
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