[发明专利]一种降低氮掺杂整体不均匀性的n型碳化硅晶体的生长方法在审
| 申请号： | 202110982188.4 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113668058A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种降低氮掺杂整体不均匀性的n型碳化硅晶体的生长方法，它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为晶体生长中掺杂的均匀性。本发明在坩埚中填入碳化硅粉料并安装碳化硅籽晶，将坩埚放入晶体生长炉中，将晶体生长炉抽真空到10 |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 掺杂 整体 不均匀 碳化硅 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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