[发明专利]一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110983622.0 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113707803A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 杨美音;罗军;崔岩;许静 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L43/04 分类号: H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 柳虹
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法,包括:铁电薄膜层,设置有两个金属电极,通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压;底电极,位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部,呈长条形,在底电极两端施加第二电压;隧道结,位于底电极之上并设置于底电极中部;其中,两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上,且两个边缘位于底电极长边方向的两侧,通过两个金属电极施加第一电压的方向与底电极短边方向平行;通过第一电压与第二电压的正负,控制磁化的定向翻转。从而在实现磁矩定向翻转的同时,利于器件的集成和产业化。
搜索关键词: 一种 自旋 轨道 转矩 磁阻 随机 存储器 及其 制造 方法
【主权项】:
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