[发明专利]一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法在审
申请号: | 202110983622.0 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN113707803A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 杨美音;罗军;崔岩;许静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L43/04 | 分类号: | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法,包括:铁电薄膜层,设置有两个金属电极,通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压;底电极,位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部,呈长条形,在底电极两端施加第二电压;隧道结,位于底电极之上并设置于底电极中部;其中,两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上,且两个边缘位于底电极长边方向的两侧,通过两个金属电极施加第一电压的方向与底电极短边方向平行;通过第一电压与第二电压的正负,控制磁化的定向翻转。从而在实现磁矩定向翻转的同时,利于器件的集成和产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 自旋 轨道 转矩 磁阻 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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