[发明专利]晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法有效
| 申请号： | 202110984046.1 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113744987B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋成保;席龙龙;张天丽;杨奇承 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学;苏州航大新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/055 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 李晓莉;邓治平 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法。所述晶界组织重构是指添加第二相晶界合金，补充主合金晶界相中贫乏元素，使得晶界变得更加连续、光滑且均质化，晶界处组成接近晶内，晶界附近形成完整胞状结构，晶界内部形成近似晶内的胞状结构。所述第二相晶界合金分子式为Sm(Fe |
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| 搜索关键词： | 组织 制备 性能 磁体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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