[发明专利]NOR闪存阵列及其数据写入方法、读取方法及擦除方法在审
| 申请号： | 202110984193.9 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115249502A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 金波;禹小军 | 申请（专利权）人： | 杭州领开半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4097 | 分类号： | G11C11/4097;G11C16/04;G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供的NOR闪存阵列中，每个存储单元包括依次串联连接的源线选择管和n个存储管，源线选择管的源极作为存储单元的总源极端，每个存储单元中的源线选择管和n个存储管沿列方向排布，而同一行上各个存储单元中的源线选择管沿行方向排布；每条位线连接同一列上各个存储单元的总漏极端；每条共同源线连接同一行上各个存储单元的总源极端；每条字线连接同一行上各个存储单元中串接位置相同的存储管的栅极；每条源线选择线连接同一行上各个存储单元中源线选择管的栅极。如此，n个存储单元可以共用一个源线选择管，有助于提高NOR闪存阵列的存储密度。本发明还提供上述NOR闪存阵列的数据写入方法、数据读取方法和数据擦除方法。 | ||
| 搜索关键词： | nor 闪存 阵列 及其 数据 写入 方法 读取 擦除 | ||
【主权项】：
暂无信息
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