[发明专利]一种单晶硅拉晶工艺方法有效
| 申请号： | 202110984273.4 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113652737B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;谢志宴;靳乾 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京唐颂永信知识产权代理有限公司 11755 | 代理人： | 刘伟 |
| 地址： | 710199 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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