[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110984437.3 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113707602B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李婷;周厚宏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括，提供基底，基底包括介质层以及间隔设置于介质层中的焊盘；形成介电结构，介电结构暴露出焊盘以及部分介质层；形成绝缘结构，绝缘结构形成于介电结构的侧壁，绝缘结构覆盖介电结构的第一部分侧壁，介电结构的第二部分侧壁与绝缘结构之间形成空气隙；形成导电结构，导电结构覆盖暴露出的焊盘，以及绝缘结构的部分外侧壁面。在本公开中，半导体结构中相邻的导电结构被介电结构、绝缘结构以及空气隙隔开，空气隙的存在降低导电结构间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
