[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110984595.9 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113707641B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张永会 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，解决半导体器件的电学性能差的技术问题，该半导体器件包括衬底和位于衬底上的介质层；介质层中设有刻蚀停止层和位于刻蚀停止层上的第一金属层，第一金属层至少包裹刻蚀停止层的侧壁；衬底背离介质层的一侧设有通孔，通孔中填充有导电体，导电体贯穿通孔的底部与第一金属层电导通。本申请提供的半导体器件的电学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110984595.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
