[发明专利]一种氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片及其制备方法与储能应用在审
| 申请号： | 202110985207.9 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707861A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王岩;查志飞;吴玉程;余翠平;张剑芳;秦永强;崔接武;张勇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/52;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片及其制备方法与储能应用，是首先通过溶剂热合成氧化钴纳米片前驱体，然后在氧化钴纳米片前驱体表面附载同时作为氮源和碳源的聚乙烯吡咯烷酮包覆层，最后在氩气氛围保护下进行高温煅烧，充分利用聚乙烯吡咯烷酮的原位碳化和分解，即可获得氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片。本发明的材料制备方法简单、成本低、过程易于控制，可以批量化生产；且本发明所制备的氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片作为锂离子电池负极材料时，具有优异的比容量和倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳层包覆 氧化钴 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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