[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202110985480.1 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113437051B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；可以在漏极测试焊盘中通过漏极底层金属、介质层和漏极顶层金属形成电容结构，同理，也可以在栅极测试焊盘中通过栅极底层金属、介质层和栅极顶层金属形成电容结构，然后将栅极底层金属和漏极底层金属分别与源极测试焊盘通过导电结构连接。如此，在直流测试过程中，便可以在源极测试焊盘和漏极测试焊盘之间、在源极测试焊盘和栅极测试焊盘之间形成导电结构和电容串联的电路，形成交流信号接地的泄露通道，利用该电路能够使得外部测试电路引入的交流噪声信号及时接地，从而抑制半导体器件在直流测试时自激问题的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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