[发明专利]一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置及方法有效
| 申请号： | 202110985591.2 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113960144B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李铁;陈世兴;杨义;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 杨怡清 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置，包括：硅纳米线FET传感器，其上设有待测的目标物；电源装置，其正极和负极之间设有依次串联的限流电阻、硅纳米线FET传感器和负载电容，以对负载电容充放电；ASIC组件，其根据负载电容两端的电压大小将负载电容在充电和放电状态之间切换，根据电压大小输出高低电平，以产生方波信号，获取其频率，得到硅纳米线FET传感器的实时电阻值；和显示装置，设置为接收并显示硅纳米线FET传感器的实时电阻值的数据。本发明还提供了相应的方法。本发明的装置具有体积小、电路结构简单、高效、低成本、低功耗、低温漂、器件无损、检测范围大、自适应能力强和完全不存在失配问题的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 fet 传感器 阻值 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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