[发明专利]一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器在审
| 申请号： | 202110985984.3 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113903855A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 聂天晓;王海宇;殷加亮 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;张德斌 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器。上述方法是在多层膜结构的铁磁层和氧化物层之间设置第一金属插入层，增强界面自旋轨道耦合强度。本发明还提供了一种多层膜结构，包括非铁磁层、铁磁层、第一金属插入层和氧化物层。本发明还提供了一种磁隧道结，包括非铁磁层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层；或者非铁磁层、第二金属层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层。本发明还提供了含有上述多层膜结构或磁隧道结的磁随机存储器。本发明通过插入超薄金属的方式，利用氧化工程效应改变非铁磁层和铁磁层的界面，以增强界面自旋轨道耦合效应，提高翻转效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多层 膜结构 自旋 轨道 翻转 效率 方法 隧道 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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