[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供三维存储器及制备方法。制备方法包括：在衬底上限定的第一区域内形成外围高压电路，采用第一填充层覆盖第一区域；在衬底除第一区域之外的部分上形成叠层结构，叠层结构包括交替叠置的栅极牺牲层和绝缘层；保留叠层结构位于边界区的一部分以形成隔离结构，边界区与第一区域相邻；去除叠层结构除位于界区之外的部分的栅极牺牲层以形成牺牲间隙，并在牺牲间隙内填充导电材料以形成存储器的栅极层。通过上述方法，将外围高压电路与存储阵列形成在同一衬底的同一平面上，并在两者之间设置隔离结构，可相对减小外围芯片的尺寸，提高存储密度和可集成性，并避免存储阵列制备过程中产生或使用到的等离子体等扩散到外围高压电路中。