[发明专利]一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池在审
申请号: | 202110986532.7 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113745359A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 沈凯;刘娇;麦耀华;周逸良;鲍飞雄;王新龙 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 雷月华 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括:在硒源层上沉积p型CdTe薄膜,当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程,然后进行激活热处理工艺,快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后,将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550~620℃的高温,高压氮气或惰性气体环境下,保持1~20min,然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后,引入高温扩散反应过程,调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应,形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层,显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性,有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 梯度 吸收 制备 方法 太阳电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于暨南大学,未经暨南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110986532.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耐热钢高合金篦板加工方法及装置
- 下一篇:蒸发器除霜处理方法、装置及热泵设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的