[发明专利]一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池在审

专利信息
申请号: 202110986532.7 申请日: 2021-08-26
公开(公告)号: CN113745359A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 沈凯;刘娇;麦耀华;周逸良;鲍飞雄;王新龙 申请(专利权)人: 暨南大学
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 雷月华
地址: 510632 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括:在硒源层上沉积p型CdTe薄膜,当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程,然后进行激活热处理工艺,快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后,将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550~620℃的高温,高压氮气或惰性气体环境下,保持1~20min,然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后,引入高温扩散反应过程,调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应,形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层,显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性,有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 碲化镉 梯度 吸收 制备 方法 太阳电池
【主权项】:
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