[发明专利]基于表面等电势硅基板制成的级联型GaN器件在审
| 申请号： | 202110987115.4 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113782511A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘晨阳;任永硕;王荣华;梁辉南 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L25/07;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 方中 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于表面等电势硅基板制成的级联型GaN器件，其包括框架载体、设置在框架载体上的GaN HEMT和硅基板、设置在硅基板上的MOSFET，其中GaN HEMT和MOSFET均具有D极、S极和G极，硅基板厚度d≤150μm；MOSFET的D极和S极分别与硅基板的上、下表面电性连接并形成等电势。本发明使用150μm以下硅基板替换陶瓷基板，并且所用硅基板的上下表面能够与MOSFET的D极和S极形成等电势，不仅能够降低封装贴片工艺的难度，减少贴片总材料数量，降低了对封装外形选择的限制，方便兼容行业常规的封装外形；而且还能够起到避免达到其雪崩电压，解决器件会因MOSFET D、S电极或GaN HEMT G、S电极击穿而失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 电势 硅基板 制成 级联 gan 器件 | ||
【主权项】：
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