[发明专利]图像传感器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种图像传感器以及形成方法，该方法包括：通过刻蚀和外延工艺，在半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层；去除所述沟槽开口附近的部分所述第一介质层和所述第二介质层；形成第一外延层，使所述沟槽的开口封闭；其中，所述沟槽对应的区域用于形成图像传感器的侧向光学隔离结构。该侧向光学隔离结构可以包括中空间隙结构。入射光线照射到中空间隙结构上将发生全反射，从而有效降低相邻像素单元之间的光线串扰。通过外延工艺，在沟槽侧壁形成侧向PN结，实现相邻像素单元之间的电学隔离。