[发明专利]一种基于碳硅氧共掺杂氮化铝的LED芯片制作方法在审
| 申请号： | 202110988236.0 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707771A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种基于碳硅氧共掺杂氮化铝的LED芯片制作方法，包括：将蓝宝石衬底放入磁控溅射反应腔，在蓝宝石衬底上溅射AlN薄膜；将溅射有AlN薄膜的蓝宝石衬底取出，放入快速退火炉反应腔对AlN薄膜进行C、O掺杂处理；再把将经过所述C、O掺杂处理的蓝宝石衬底从快速退火炉反应腔中取出，放入MOCVD反应腔对AlN薄膜进行Si掺杂处理，接着依次生长掺杂Si的n型GaN层、有源层MQW、P型AlGaN层和P型GaN层；退火处理。本发明通过采用新方法制作碳硅氧共掺杂氮化铝薄膜层来提升LED外延材料的晶体质量，从而使LED的发光效率和抗静电能力得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳硅氧共 掺杂 氮化 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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