[发明专利]一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用在审
| 申请号： | 202110988456.3 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113948607A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 胡党平;赵文祥;赵迎财;廖晖;马玉超;王义福;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 何俊 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及N型晶硅电池技术领域，公开了一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。本发明的选择性扩散方法采用非晶硅层作为掩膜，能防止形成的掺杂层中硼浓度不可控，有利于提高N型晶硅电池的开路电压、短路电流和填充因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 选择性 发射极 电池 扩散 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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