[发明专利]一种半导体晶体高速机械刻划试验方法以及试验装置在审
| 申请号： | 202110989331.2 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113686679A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 葛梦然;王全景 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | G01N3/08 | 分类号： | G01N3/08;G01N3/04;G01N3/02;B28D5/04;B28D7/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人： | 张蕾 |
| 地址： | 250101 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种半导体晶体高速机械刻划试验方法，包括以下步骤，a.将半导体晶体试件固定放置在旋转装置上，利用调速器调整转速，通过测速仪对旋转装置的转速进行实测和记录；b.通过驱动刻划装置直线移动，实现在半导体晶体试件的不同位置进行机械刻划加工；刻划装置上可同时设置一个或多个相同或不同的刻划压头；划刻压头与半导体晶体试件的相对位置可以手动微调；通过测力仪记录机械刻划过程中的刻划力；c．机械刻划加工完成后，取下半导体晶体试件，通过检测、分析半导体晶体试件表面的划痕径向位置、划痕形貌、划痕深度、裂纹损伤、实测的旋转装置的转速以及机械刻划过程中刻划力的变化规律，获得半导体晶体材料机械刻划的材料去除模式和脆塑转变条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体 高速 机械 刻划 试验 方法 以及 试验装置 | ||
【主权项】：
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