[发明专利]适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法有效
| 申请号： | 202110991562.7 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113666327B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李晖;尹峰 | 申请（专利权）人： | 南京声息芯影科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B06B1/06 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度系统集成的SOC PMUT通过有源晶圆的直接键合，垂直方向的多通道金属连线结构，实现SOC PMUT阵列及其CMOS辅助电路的垂直堆叠，单片集成，并通过TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统超声换能器金属互连的瓶颈，极大地降低了超声换能器金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对超声换能器阵列性能的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 适合 高密度 系统集成 soc pmut 阵列 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京声息芯影科技有限公司，未经南京声息芯影科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110991562.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种紫叶丹胶囊的检测方法
- 下一篇：一种基于远程控制的车辆检测用底盘查看器
