[发明专利]硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110994144.3 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113871464A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 蔚翠;何泽召;周闯杰;郭建超;马孟宇;余浩;刘庆彬;张雄文;宋旭波;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管器件技术领域，制备方法包括在金刚石衬底的上表面形成氢终端；在氢终端的上表面形成源极和漏极；在源极的上表面、漏极的上表面、源极和漏极之间的氢终端的上表面形成钝化介质层；去除源极和漏极之间的部分钝化介质层，使得对应部分的氢终端的上表面裸露；在其余钝化介质层的上表面、氢终端裸露的上表面形成SiO |
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| 搜索关键词： | 终端 金刚石 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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