[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110994831.5 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745968B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吴猛;李淼;周雄 | 申请（专利权）人： | 因林光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法，激光器包括：激光器外延结构，激光器外延结构包括衬底以及依次位于衬底一侧的光栅结构和脊形结构；光栅结构至少包括沿第一方向交替设置的第一介质层和第一子外延结构，第一介质层和第一子外延结构的折射率不同；脊形结构至少包括叠层设置的上光场限制层、上接触层和第一电极层，第一电极层位于上接触层远离衬底的一侧；位于衬底远离光栅结构一侧的第二电极层。本发明解决了现有技术中光栅结构在器件内部或者上表面时引起的光栅反射率较低、光损耗较高、耦合效率低、器件串联电阻较大以及成本高，而影响半导体激光器的器件性能和可靠性的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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