[发明专利]一种接触孔图案的制备方法在审
| 申请号： | 202110996065.6 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113937103A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘浩 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种接触孔图案的制备方法，包括：提供衬底，在衬底中定义目标区域和非目标区域；在衬底上形成图形层，对目标区域上的图形层执行图形化工艺，以在目标区域上形成目标图形；形成覆盖目标区域和非目标区域的牺牲介质层；执行掩膜工艺，暴露出目标区域的牺牲介质层；执行蚀刻工艺，去除目标图形和非目标区域的牺牲介质层。本发明的制备方法在简化接触孔制程工艺、提高产能的同时降低了制程机台使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 图案 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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