[发明专利]一种晶圆的背封工艺在审
| 申请号： | 202110996641.7 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113707536A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 安云富;丁振宇;侯龙;赵超 | 申请（专利权）人： | 上海鼎泰匠芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 201306 上海市中国(上海)*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的背封工艺，包括：S1)将晶圆置于反应腔室内加热；S2)在反应腔室内向晶圆背面通入硅源气体与氧源气体，同时向晶圆正面通入保护性气体；所述保护性气体的流量大于硅源气体与氧源气体的流量；S3)待通入气体稳定后，在晶圆背面加载射频功率使气体反应在晶圆背面沉积二氧化硅。与现有技术相比，本发明直接在晶圆背面生长二氧化硅，并在生长二氧化硅的同时向晶圆正面通入保护性气体以防治正面有二氧化硅的沉积，还可通过调节保护性气体的流量调节晶圆背面边缘二氧化硅的覆盖范围，从而使该背封工艺不需要正面工艺且不会有正面的任何接触或者损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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