[发明专利]一种抑制微像素LCOS的边缘效应的垂直电极在审
| 申请号： | 202110996717.6 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113791509A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张亚萍;郭胤初 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京棘龙知识产权代理有限公司 11740 | 代理人： | 张开 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抑制微像素LCOS的边缘效应的垂直电极，属于硅基液晶空间光调制器设计技术领域。本发明所述电极为垂直结构，该液晶系统由玻璃基底，像素电极，感应导体，液晶和硅基底组成；由于垂直电极结构特殊的电极排布，使LCOS在通电工作状态下，相邻像素间的电场成水平，边缘电场的垂直分量得到了很好的抑制。通过软件仿真的仿真结果表明：垂直电极结构下LCOS像素间的边缘场得到最好的抑制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 像素 lcos 边缘 效应 垂直 电极 | ||
【主权项】：
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