[发明专利]一种AlN薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110999812.1 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113445004B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/06;C30B23/04;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 申素霞 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市钱塘新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AlN薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明在衬底上形成掩膜后刻蚀，在衬底表面形成规则排列的凹坑；然后在凹坑中溅射沉积AlN，并通过退火的方式，在衬底表面得到了规则排列、应力小且致密的AlN籽晶。由于AlN籽晶只在凹坑中而衬底表面其他位置没有，在后续外延生长过程中，AlN籽晶为同质外延，而衬底上为异质外延，可以改善衬底和AlN层的晶格失配和热失配，又能降低位错密度，提高晶体质量。同时，由于同质和异质生长速率的差异，使后续生长的AlN层趋向于二维生长，得到表面光滑的AlN层。溅射AlN层经过退火处理后，会和衬底凹坑的最下层形成空隙层，提高深紫外LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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