[发明专利]一种Cu/Cu2S/Al结构宏观忆阻器及制备方法有效
申请号: | 202111000108.7 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113823737B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 邵楠;周巍;邵舒渊 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H10N70/20 | 分类号: | H10N70/20;G01R31/28;G06F30/367 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 金凤 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明提供了一种Cu/Cu2S/Al结构宏观忆阻器及制备方法,在平整的绝缘基底材料上,绝缘基底的其中一侧表面上设有硫化亚铜层的金属铜片,将金属铜片腐蚀得到硫化亚铜薄膜区域,在绝缘基底材料上金属铜片未覆盖区域设置一个铝电极接线柱,在金属铜片上硫化亚铜薄膜区域之外的区域设置一个铜电极接线柱,铝电极接线柱上引出一根纯铝细丝,纯铝细丝与铝电极接线柱紧密固定,纯铝细丝的末端与硫化亚铜薄膜区域接触,从而构成Cu/Cu |
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搜索关键词: | 一种 cu cu2s al 结构 宏观 忆阻器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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