[发明专利]一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法有效

专利信息
申请号: 202111000287.4 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113697765B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 尹延昭;张鹏;孙权;于洋;周志炜;李修钰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L13/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 李靖
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低,测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接;波纹膜片安在波纹膜片接触面上,压环压装在波纹膜片上,隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内,硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的两个压力谐振器实现差压测量。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
搜索关键词: 一种 真空 封装 结构 谐振 压力 敏感 芯片 探头 方法
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