[发明专利]一种氮化镓增强型器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111001242.9 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113851522B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何俊蕾;林科闯;刘成;林育赐;叶念慈;徐宁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王雪莎 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓增强型器件及其制备方法，衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、过渡层和P‑GaN栅为自下而上依次层叠，栅极设置在P‑GaN栅上，源极和漏极形成于AlGaN势垒层上，过渡层位于源极和漏极之间，过渡层的Mg掺杂浓度小于P‑GaN栅的Mg掺杂浓度；过渡层具有被P‑GaN栅覆盖的第一区域和未被P‑GaN栅覆盖的第二区域，第一区域的空穴浓度大于第二区域的空穴浓度；P‑GaN栅具有自下而上依次层叠的第一P型层和第二P型层，第一P型层的空穴浓度大于或等于第二P型层的空穴浓度。本发明避免在外延生长中Mg扩散及刻蚀P‑GaN栅的损伤，实现低导通电阻、高可靠性的GaN增强型功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 增强 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南三安半导体有限责任公司，未经湖南三安半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111001242.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
