[发明专利]一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法

摘要

一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法，反应腔体基座升温；通入氢气携带的气态三氯氢硅；用氢气将反应副产物排除；将硅衬底片装在基座上，升温，对其表面高温烘焙；用氢气将硅衬底片和基座的各类杂质排除；反应腔体降温，通入氢气携带的气态三氯氢硅，在硅衬底片上进行硅外延层生长；设定反应腔体温度，通入氯化氢气体对硅外延层进行刻蚀，对前期沉积的硅外延层用刻蚀方式去除，反应腔体降温，用氢气将反应副产物排除；反应腔体内通入氢气携带的气态三氯氢硅，继续硅外延层生长；用氢气将生长过程中的反应副产物排除；降温，硅外延片从基座上取出。获得在薄硅外延层厚度内快速提升电阻率指标且工艺简单、适合工业化生产的制备方法。